电子行业深度研究报告：AI浪潮汹涌HBM全产业链迸发向上-240331（27页）.pdf

1、 证 券 研 究 报证 券 研 究 报 告告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 未经许可，禁止转载未经许可，禁止转载 行业研究行业研究 电子电子 2024 年年 03 月月 31 日日 电子行业深度研究报告 推荐推荐（维持）（维持）AI 浪潮浪潮汹涌，汹涌，HBM 全全产业链迸发向产业链迸发向上上 AI 需求爆发驱动需求爆发驱动 HBM 快速增长快速增长，三大存储，三大存储原原厂引领市场厂引领市场。HBM 即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，具有高内存带宽、低能耗、更多 I/O 数量、更小尺寸等优势。自 2013 年海力士

2、首次制造问世以来，HBM 已迭代至第五代 HBM3E，该代际产品最大容量为 36GB，每引脚最大数据速率为 9.2Gbps，最大带宽超过每秒 1.18TB。ChatGPT 爆火 AI 大模型迎来快速发展，引爆算力需求，HBM 助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最优解决方案。为应对 NVIDIA 和大型 CSP 厂商对高带宽存储订单的不断增加，各大存储供应商持续扩大 HBM 产量，有望推动 HBM 市场规模在 2024 年达到 169 亿美元，同比增长 288%，占 DRAM 产业产值比重或提升至 20.1%，同比提升 11.7pct。SK 海力士独占 HBM 市场半壁江山，三星有望逐步缩小差

3、距。根据 TrendForce 数据，2022 年三大原厂 HBM 份额分别为 SK 海力士占比50%，三星占比约 40%，美光（Micron）占比约 10%。设备端：设备端：TSV 提升前道工艺及设备需求提升前道工艺及设备需求，混合键合对先进封装提出了更高的，混合键合对先进封装提出了更高的要求要求。TSV 是 HBM 核心工艺，成本占比近 30%。TSV 属于前道工艺，用于生产 HBM 的 DRAM 颗粒需要在制造过程中预留 TSV 打孔的位置，属于定制颗粒，其中最关键的中通孔（Via Middle）的制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等前道工艺，提振相关设备需求。互联距离/互联密度/导热效率优

4、势加持，混合键合或为未来 HBM 主流堆叠键合技术。混合键合设备的平均售价将显著高于目前最先进的 Flip chip（倒装芯片）或 TCB 键合系统。随着 HBM 需求持续抬升，存储领域将会贡献明显增量，中性假设下全球 2030 年混合键合设备保有量有望达到 1400 台左右。混合键合对表面光滑度、清洁度和粘合对准精度要求更为严格，生产必须在标准接近前端晶圆厂级别的超洁净室、自动化工厂和工艺专业知识要求的环境中进行，对先进封装和测试的工艺及设备提出了更高的要求，键合设备、刻蚀机、电镀机、沉积设备、量测和测试设备等有望受益。建议关注拓荆科技、华海清科、中微公司、北方华创、芯源微、中科飞测、赛腾股

5、份、精智达。材料端：材料端：TSV、MR-MUF 带动带动 EMC 材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量需求需求。MR-MUF 和 EMC 塑封料是 SK 海力士实现 HBM3 技术升级的关键工艺及材料，MR-MUF 相比目前主流堆叠工艺 TC-NCF 具有散热好等优势，SK海力士 2016 年首次在 HBM2E 上采用，随着后续堆叠层数变高减薄散热要求进一步提高，EMC 材料有望迎来进一步发展。TSV 制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等工艺，电镀液抛光材料等需求提升。此外 HBM 由多层堆叠而成，制造端前驱体、光刻胶等用量需求提升，封装端需用 underfill

6、 填充保护，底填胶、载板亦有望受益。建议关注雅克科技、华海诚科、德邦科技、沃格光电、上海新阳。HBM 需求高增有望拉动先进封测需求需求高增有望拉动先进封测需求，建议关注通富微电、长电科技、深科技。经销商环节亦经销商环节亦有望有望受益受益，建议关注香农芯创。风险提示风险提示：产能扩张进度不及预期风险，产品迭代不及预期，行业竞争加剧。证券分析师：耿琛证券分析师：耿琛 电话：0755-82755859 邮箱： 执业编号：S0360517100004 证券分析师：岳阳证券分析师：岳阳 邮箱： 执业编号：S0360521120002 证券分析师：吴鑫证券分析师：吴鑫 邮箱： 执业编号：S03605230