HBM行业深度：驱动因素、工艺流程、市场供给及相关公司深度梳理-250113（33页）.pdf

1、 1/33 2025 年年 1 月月 13 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 行业研究报告 慧博智能投研 HBM行业行业深度：驱动因素、深度：驱动因素、工艺流程工艺流程、市场市场供给供给及相关公司深度梳理及相关公司深度梳理 在当今数字化时代，人工智能的飞速发展对存储芯片提出了更高要求，HBM（高带宽内存）应运而生。HBM 凭借其高带宽、高容量、低功耗和小尺寸等显著优势，成为高性能计算领域的关键存储技术。从2014 年首款 HBM 产品问世，到如今 HBM3E 的量产以及 HBM4 的积极研发，其技术迭代不断推进，满足着日益增长的市场需求。当前，AI 大模型的爆发、英伟达等巨头的下一代

2、 GPU 发展以及云服务大厂的 AI 芯片出货，为 HBM 带来了强劲的需求增长动力。然而，HBM 市场主要被海外厂商垄断，国产化率几乎为零，这不仅制约着我国相关产业的发展，也成为国内半导体领域亟待突破的难题。本文将深入分析 HBM 行业的驱动因素、工艺流程和市场供给状况，并对 HBM 的国产化趋势进行展望。最后，本文将梳理产业链上国内相关企业，旨在为读者提供有价值的参考资料，共同关注这一关键领域的发展态势、机遇与挑战。目目录录 一、行业概述.1 二、驱动需求增长的因素.4 三、HBM 工艺流程及设备.9 四、市场供给分析.21 五、HBM 的国产化.27 六、相关公司.29 七、供需总结.3

3、3 八、参考研报.33 一、一、行业行业概述概述 1、HBM：高带宽低功耗的全新一代存储芯片：高带宽低功耗的全新一代存储芯片 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存）即高带宽内存，作为全新一代的 CPU/GPU 内存芯片，其本质上是指基于 2.5/3D 先进封装技术，把多块 DRAM Die 堆叠起来后与 GPU 芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。在结构上，在结构上，HBM 是由多个是由多个 DRAM 堆叠而成堆叠而成，主要利用 TSV（硅通孔）和微凸块（Micro bump）将裸片相连接，多层 DRAM die 再与最下层的 Basedie 连

4、接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。同一平面内，HBM 与 GPU、CPU 或 ASIC 共同铺设在硅中阶层上，再通过 2/33 2025 年年 1 月月 13 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 CoWoS 等 2.5D 先进封装工艺相互连接，硅中介层通过 CuBump 连接至封装基板上，最后封装基板再通过锡球与下方 PCB 基板相连。2、HBM 相对优势明显相对优势明显 HBM 技术相较于传统内存技术，具有高带宽、高容量、低功耗和小尺寸四大优势：技术相较于传统内存技术，具有高带宽、高容量、低功耗和小尺寸四大优势：（1）高带宽：由于采用了串行接口和优化

5、的信号传输技术，HBM 能够提供远超传统 DRAM 的带宽，满足高性能计算的需求。（2）高容量：通过 3D 堆叠技术，HBM 在相同的芯片面积内可以集成更多的 DRAM 层，从而提供更大的内存容量。（3）低功耗：HBM 的垂直堆叠结构减少了数据传输的距离，从而降低了功耗；同时，TSV 技术的应用也有助于减少功耗。（4）小尺寸：HBM 的 3D 堆叠设计使得内存模块的尺寸大大减小，有助于实现更紧凑的系统设计。HBM 最大的特点是高带宽。最大的特点是高带宽。HBM 的 I/O 速率虽然慢于传统 GDDR，但其接口有 1024 个数据“线”，远高于传统 GDDR 的 32 条数据线，通过极宽的接口方

6、式实现了更高的带宽。qXvUrUxVqRoMoNbRbPaQtRrRpNtOlOmMmNeRoPsObRmMxOuOrQnONZtPvN 3/33 2025 年年 1 月月 13 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 3、HBM 快速迭代，目前最新产品已到第五代产品快速迭代，目前最新产品已到第五代产品 HBM3E HBM 目前总共有五代产品，分别为目前总共有五代产品，分别为 HBM1/2/2E/3/3E，正开发，正开发 HBM4。2014 年，SK 海力士与AMD 联合开发了全球首款硅通孔 HBM 产品，随后，三星跟进布局；2018 年，海力士发布第二代HBM 产品 HBM2，关键改进是