2021年兆易创新公司存储芯片设计业务与MCU市场研究报告(74页).pdf
精选2021-07-29
文档编号:47460
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1、公司付费购买赛普拉斯的 40nm 和 55nm SONOS 工艺的授权,即公司选择SONOS 工艺结构作为 NOR Flash 芯片的存储单元结构,并在此基础上进行NOR Flash 的产品研发和设计,普冉股份用于生产NOR Flash产品的55nm工艺制程处于行业领先水平。普冉半导体正在推进 40nm 的 NOR Flash 产品的研发,以及 EEPROM 新一代 95nm 及以下工艺制程研发。SONOS(氧化硅氮氧化硅)结构由赛普拉斯在 2001 年提出,它是指以 ONO 堆栈为栅介质的 MOS 晶体管结构,该结构使用绝缘层(如氮化硅)作为电荷存储层。氮化物中的电荷陷阱俘获从通道注入的载流
2、子并保留电荷。由于电荷存储层是绝缘体,因此这种存储机制对隧道氧化缺陷的敏感度较低,并且对于数据保存更为稳健。SONOS 被广泛的应用于嵌入式非易失性存储器和 MCU 等半导体器件中,具备成本低、操作电压低、高良率、极佳可靠性等特性。MCU:集成式闪存,嵌入式应用的最核心器件。微控制器,Microcontroller Unit(MCU),又称单片机,是嵌入式技术时代的产物,它为各色嵌入式产品提供适度的计算能力以及实现某些专门用途。MCU 将 CPU 的频率与规格做适当缩减,并将内存、计数器、USB、A/D 转换、UART、PLC、DMA、LCD 驱动电路等多种接口都集成在一片芯片上,形成芯片级的





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