头部厂商积极扩产但预计 2026 年供给仍结构性短缺。美光、海力士 24Q2 以来持续加大CAPEX 支出,2025 年将延续这一趋势,重点布局 AI 服务器相关的 DDR5、HBM 等产能,但短期在AI相关需求集中爆发下,全球存储市场进入结构性缺货阶段,预估2026年DRAM与 NAND Flash 都将呈现全年性短缺。其中,DRAM 大厂将产能转向 HBM 和 DDR5,挤压传统 DDR4 产能,且 HBM 生产需三倍 DDR5 晶圆,导致 DDR5 也出现短缺;NAND因 2026 年 AI 推理资本支出将超训练,其对存储需求庞大,由于原厂扩产谨慎,市场缺口或达两倍。