公司的研发工程部门主要研究方向为高压器件、新型大功率器件。产品研发工程部门主要负责各项新型产品的研发、实验测试工作,应用技术部负责产品研发过程中的各项执行与支持工作以及专利的申请及维护工作。其中高压高速器件的研发主要包括高压超级结器件的研发与优化;中低压高速器件的研发主要包括中低压屏蔽栅器件;大功率器件的研发主要包括 IGBT 器件与 Hybrid-FET,以上各项技术研发均已取得相关专利。另外,东微半导目前在多个领域开展研发项目,已经开展风险试产的项目包括第三代超级结器件、超低 FOM 及高性能的 150V SGT 功率器件、12 英寸大晶圆 60V-100V SGT、12 英寸先进工艺 GreenMOS 超级结 MOSFET 等研发项目。立项阶段的项目有超级硅功率器件、8 英寸线 700V 及以上 GreenMOS 高压的超级结芯片、900V 以下三栅 IGBT(Tri-gate IGBT)、900V 及以上三栅 IGBT(Trigate IGBT)、第三代半导体 SiC 功率器件等自主研发项目。