过电压保护（OVP）单元可在输入电压超过指定值时，切断电源以保护主系统。随着电源适配器的充电功率越来越高，过电压保护电路需求有望随之上升，催化电子设备电源接口逐步采纳 OTG 和反向充电等新应用。考虑到 GaN 性能优越，手机厂商可在电路设计时将 OVP 中的 2 颗 Si MOSFET 替换为 1 颗 GaN 器件，降低 OVP 整体成本和尺寸。 OPPO 在 Find X8/X8 pro 系列手机主板充电过压保护和 50W 无线充产品中，采用了公司的 40V 双向导通芯片 VGaN，一颗替代两颗背靠背的 Si MOSFET，大大简化内部空间，使产品设计更加轻薄。同时，VGaN 具备双向导通或关断的特性，能在手机充电过程中对电池进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。充电侧的超级闪充则采用了公司的高压GaN，该芯片采用 TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效率更高。根据 OPPO 官方数据对比，采用公司的高压 GaN 的 80W 超级闪充与此前标配的 80W 适配器相比，体积减小约 18%，随身携带更方便。OPPO 已有多个系列产品(包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均采用了公司的 AllGaN技术，实现了产品性能与竞争力的领先。