(三)中国的α:存储高景气,两存全球市占率提升可期 DRAM侧,2024年长鑫存储推出新一代 16Gb DDR5 产品,跳过 17nm(D1y) 节点直接采用 16nm( D1z)节点。产能和出货上,长鑫也在加速从 DDR4/LPDD4 向 DDR5/LPDDR5转移,根据 Counterpoint预测,2025Q1长鑫存储按比特出货 量全球市占率 6%,预计 2025Q4 将提升至 8%;年底 DDR5 市占率预计将从 2025Q1 的 1%提升 至 7%,LPDDR5预计将从 2025Q1的 0.5%提升至 9%。此外,AI算力驱动 下 ,国内 HBM及 3D DRAM产业化也有望加速,共同驱动存储 产业链资本开支密度再上新台阶。NAND端,2025年 9月,长江存储三期主体成 立,后续有望规划 300+层 3D NAND产品,随着堆叠层数的增加,其对核心刻蚀以及薄膜沉积设备的采购需求也将进一步增加。