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（三）中国的α：存储高景气，两存全球市占率提升可期 DRAM侧，2024年长鑫存储推出新一代 16Gb DDR5 产品，跳过 17nm（D1y） 节点直接采用 16nm（ D1z）节点。产能和出货上，长鑫也在加速从 DDR4/LPDD4 向 DDR5/LPDDR5转移，根据 Counterpoint预测，2025Q1长鑫存储按比特出货 量全球市占率 6%，预计 2025Q4 将提升至 8%；年底 DDR5 市占率预计将从 2025Q1 的 1%提升 至 7%，LPDDR5预计将从 2025Q1的 0.5%提升至 9%。此外，AI算力驱动 下 ，国内 HBM及 3D DRAM产业化也有望加速，共同驱动存储 产业链资本开支密度再上新台阶。NAND端，2025年 9月，长江存储三期主体成 立，后续有望规划 300+层 3D NAND产品，随着堆叠层数的增加，其对核心刻蚀以及薄膜沉积设备的采购需求也将进一步增加。
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