东微半导已进入风险试产阶段的研发项目(截至2021H1)
2022-02-17 10:55:29
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东微半导目前在多个方向开展研发工作,布局第三代半导体功率器件。公司目前已进入风险试产阶段的研发项目有第三代超级结器件、超低 FOM 及高性能的 150V SGT 功率器件、12 英寸大晶圆 60V-100V SGT、12 英寸先进工艺GreenMOS 超级结 MOSFET;目前处于立项阶段的研发项目有超级硅功率器件、8 英寸线 700V 及以上 GreenMOS高压的超级结芯片、900V 以下三栅 IGBT、900V 及以上三栅 IGBT。此外,公司于 2021 年 7 月立项了第三代半导体SiC 功率器件自主研发项目,主要针对以碳化硅为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发,目前该项目处于立项阶段。
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