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新一代的HBM将带来更多测试挑战。新一代HBM具有更高的堆叠数量、持续的芯片 小型化、更快的接口速度和增加的电力要求。这些因素共同驱动更高的测试强度, 通过更长的测试时间和更严格的测试覆盖。此外，与传统的DDR周期相比，HBM遵 循更短的技术节奏，这在某些情况下需要增量测试设备购买，以支持快速产品过渡 在先进的封装技术中，HBM对探针卡要求的影响最为显著。每个HBM堆叠由8-16个芯 ，间距从今天的约55μm/45μm缩小到HBM4的约36μm。重要的是，探针卡并不是商 品产品－－每张卡都是为特定芯片定制设计的，反映了独特的焊点布局、电气要求和性 能规格。 展望未来，我们预计基于芯片的设计和堆叠内存架构中引脚数量、电流处理要求和测 试覆盖将持续增加。先进封装的发展重新定位了晶圆探测，成为防止 costly downstre am yield losses 的第一道防线。
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