微凸点和混合键合对比
2023-04-06 08:15:31
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晶圆到晶圆(W2W)或芯片到晶圆(D2W),均通过删除凸点方式减薄厚度。其中W2W
2024-06-17 08:15:17
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凸点分类工艺特征尺寸较小,相对晶圆制造来说较
2024-05-21 08:15:00
275
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其它1
图表26采用微凸块和混合键合方法的垂直分层(VerticalLamination)示意
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不同凸点间距(BumpPitch)对应的技术(单位:um)
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当凸点储存进一步缩小到小于10~20um时,焊锡球成为了工艺难点及缺陷的主要来源。业界相应提出了 Hybrid Bonding 工艺,可以解决 bump 间距小于 10 微米芯片间的键合问题,以实现更高的互连密度,此外 Hybrid Bonding 信号丢失率几乎可以忽略不计,在高吞吐量,高性能计算领域优势明显。
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