“2+3”自研主控拓展提速,加快高性能领域研发创新。公司闪存模组以自研主控芯片为核心,随着研发实力不断增强,芯片研发不断拓展提速,同时推动两颗主控量产导入,三颗主控芯片立项研发。公司新一代自研 SD6.0 存储卡主控芯片成功量产,产品适配工作进展顺利,目前已有各类搭载该款主控的存储卡模组送样,待客户验证通过后即可实现批量导入;公司自研 SATASSD 主控芯片成功量产,已经完成产品适配与测试,并实现批量销售。新一代 SD6.0存储卡主控芯片主要基于 40nm工艺,提升读写性能,基于multi-voltage多电源域的低功耗设计方法,SATASSD 主控芯片为国内率先采用 RISC-V 指令集打造的无缓存高性能控制芯片,支持最新的 ONFI5.0 接口,二者均采用目前业界领先的 4KLDPC 纠错技术,可以灵活适配 3DTLC/QLC 等不同类型的闪存颗粒。