坩埚与加热器会产生碳氧杂质
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单晶炉更新迭代向低氧方向发展，配合超导磁场可实现更低的氧含量。过往单晶炉迭代主要向大尺寸方向演变，在 158 及以下尺寸的时代，主流厂家单晶炉设备热屏内径一般不超过 300mm。182 硅片直径为 247mm，对应圆棒外径约 252mm，几乎达到老旧产线最大可兼容的尺寸；210 硅片的直径为 295mm，对应圆棒外径约 300mm，原有单晶炉设备不能适应 210 硅棒的拉制。从低氧低碳来看，单晶炉用坩埚包括石英坩埚与石墨坩埚，其中石墨坩埚用于维持石英坩埚的形状。与硅熔体直接接触的石英坩埚会带入氧杂质，石墨坩埚又会引入碳杂质，碳氧杂质会造成单晶生长产生位错/缺陷，严重时会导致变晶生长。随着N 型 TOPCon 电池渗透率快速提升，高温制程会导致 N 型 TOPCon 电池氧杂质产生同心 圆等问题 ，影响电池外观良率及转化效率。常规控氧要 通过控制提拉速度、加热器功率、合理的热场设计等避免碳氧杂质造成的晶体生长缺陷。而通过超导磁场控氧可达到更低的氧含量，可消除同心圆现象，提升硅棒产能及电池转化效率。
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