金刚石热导率高达1000-2000W/m.K
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相较于第三代半导体，单晶金刚石（SCD）和多晶金刚石（PCD）材料优势更为显著。金刚石衬底能够有效解决 GaN 功率器件面临的散热难题，从而在相同尺寸下，制造出具有更高功率密度的 GaN 基功率器件，显著提升器件的性能和稳定性。与硅（Si）相比，金刚石芯片可以使转换器轻 5倍，体积更小；与碳化硅（SiC）相比：成本可以便宜 30%，所需的材料面积仅为 SiC 芯片的 1/50，减少 3 倍的能量损耗，并将芯片体积缩小 4 倍，从而大幅降低能耗。在注重系统体积和重量时，通过提升开关频率，金刚石器件能够使无源元件的体积减少 4 倍，同时配合更小的散热器。
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