SiCSBD的开关损耗较硅基FRD减少近2/3
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SiC 肖特基二极管相比硅基 FRD 具备优势，目前发展较成熟。SiC 肖特基二极管（SBD）是最早进入市场的碳化硅功率器件产品，从 2001 年英飞凌首先推出 SiC 肖特基二极管产品以来，经历 20 年的发展，国内外有多家公司量产 SiC肖特基二极管系列产品。根据 CASA Research，目前国产 SiC 二极管实现650V-1700V 全系列批量供货能力，导通电流最高达 50A。
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