DRAM市场高度集中的竞争格局使其成为半导体行业中议价能力最强的细分赛道之一。国投证券研报显示，2023年三星（45.5%）、SK海力士（31.8%）、美光（19.2%）三大巨头垄断全球DRAM市场，CR3约96%。DDR5正取代DDR4成为市场主流，HBM受益AI需求快速增长。2024Q2 DRAM合约价季增3-8%，存储价格持续回暖。长鑫存储等国产厂商奋起直追，已推出LPDDR5系列产品。
DRAM技术迭代——DDR5取代DDR4，进入10nm时代
从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1至DDR4的延续，DDR5成为近几年的主流产品。2020年7月DDR5标准正式发布，与DDR4相比功耗降低、带宽提升一倍。技术制程方面，存储行业使用1X/1Y/1Z/1a/1β/1γ表达制程工艺，1X约等同于19nm，1Z约16-17nm，1a/1β/1γ对应12-14nm。三星2023年量产12nm级16Gb DDR5 DRAM，将于2026年推出DDR6。SK海力士第5代10nm工艺1bnm已完成技术研发。国产长鑫存储采用19nm工艺生产8Gb DDR4产品，已推出LPDDR5系列在小米、传音等品牌验证。
HBM对DRAM产能的挤压效应
HBM（高带宽存储器）通过TSV硅通孔技术将多个DRAM垂直堆叠，是AI训练的最佳内存方案。HBM3e带宽达1TB/s，远高于GDDR6的64GB/s；单堆叠密度24GB（per stack），GDDR6仅2GB。美光CEO在2024年3月财报电话会议披露：在同一节点生产同等容量情况下，HBM3e对晶圆量的消耗是标准DDR5的三倍，且HBM4上这一比值将进一步提升。HBM大幅扩产显著挤压传统DRAM产能，成为拉动DRAM整体景气度上行的结构性力量。
DRAM周期与价格走势
DRAM自2012年以来经历三轮完整周期，当前处于周期上行阶段。2022Q4开始，三星、海力士、美光等龙头企业经营毛利率转负，随后经历严重亏损。2022Q4-2023Q4，三大龙头稼动率从100%分别降至73%-69%，供给收缩带来价格快速反弹。DDR4 8Gb现货价从2023年6月约2.5美元涨至2024年6月约3.05美元。2024Q2 DRAM合约价季增3-8%（PC DRAM/Server DRAM/Mobile DRAM/GDDR均在此区间）。TrendForce预计2024H2合约价将继续上涨。
DRAM终端需求结构
据TrendForce统计，2023年全球DRAM终端占比中，手机端36.9%、PC端12.4%、服务器37.0%，三者合计86.3%。AI手机旗舰机型RAM普遍高于12GB/单机（美光预估AI时代旗舰手机DRAM用量提升50%-100%），AI PC有望提升至32GB/单机，服务器DRAM受AI训练拉动需求显著增长。终端需求的扩容与HBM的结构性扩产形成共振，DRAM景气度有望持续上行。
表：2024Q2 DRAM合约价格涨幅预测| 类型 | 季增幅度 | 驱动因素 |
|---|
| PC DRAM | 3-8% | 新CPU转DDR5，原厂先进制程成本优化 |
| Server DRAM | 3-8% | DDR4/DDR5价差缩小，产能限缩 |
| Mobile DRAM | 3-8% | 原厂库存减少、议价态度强势 |
| Graphics DRAM | 3-8% | 产能转HBM，GDDR生产规划保守 |
