平安证券2024年8月发布的AI手机深度报告指出，AI手机的兴起将驱动手机存储（DRAM和NAND）在性能和容量方面的全面升级。端侧大模型需要大量数据作为底层支撑，流畅运行AI应用对内存性能提出更高要求。美光UFS4.0存储芯片已发布，2024年高端手机平均DRAM容量将达10GB。本文基于报告核心数据，深度解析AI手机存储升级趋势与产业链受益方向。
AI手机驱动DRAM容量持续提升，2024年高端机平均10GB
随着手机厂商开始在手机产品中融入基于生成式AI的功能，手机单机DRAM搭载容量逐步提升。据Yole预测数据，2023年高端智能手机平均DRAM容量为9GB，预计2024年将接近10GB。搭载16GB内存的高端智能手机（足以满足70亿参数LLM运行需求）市场份额有望从2023年的8%增长到2024年的11%。考虑到未来AI手机离线大模型需要大量数据作为底层支撑，预计DRAM容量将持续升级。
表5：AI手机存储升级核心数据| 指标 | 2023年 | 2024年E |
|---|
| 高端手机平均DRAM容量 | 9GB | 约10GB |
| 16GB内存机型市场份额 | 8% | 11% |
| 高端手机存储方案 | LPDDR5X+UFS3.1 | LPDDR5X+UFS4.0 |
| UFS4.0顺序读取速度 | — | 4300MB/s |
uMCP已成高端智能手机标配，美光UFS4.0读取速度4300MB/s
当前主流高端智能手机普遍采用基于LPDDR5X+UFS3.1的uMCP存储解决方案。针对未来旗舰智能手机以及AI手机，美光最新推出UFS4.0存储芯片，该芯片基于232层3D NAND内存，UFS4.0芯片尺寸相较UFS3.1缩小20%至9×13mm，容量覆盖256GB-1TB，提供4300MB/s顺序读取速度和4000MB/s顺序写入速度。首批采用美光UFS4.0内存的智能手机预计于2024年下半年上市。AI手机对存储性能的更高要求将加速UFS4.0在旗舰机型中的渗透。
存储芯片产业链受益于AI手机换机浪潮
AI手机的兴起将带动手机DRAM和NAND在性能和容量方面全面升级。存储芯片是AI手机实现流畅运行AI应用的核心硬件之一，存取、加载大模型需要搭载更高容量和性能的存储。根据联发科数据，端侧130亿参数大模型需要配备130GB/s带宽的内存。随着AI手机出货量快速增长，存储芯片行业有望充分受益于容量提升和性能升级带来的单机价值量提升。建议关注存储模组及品牌厂商江波龙、德明利等。
AI手机存储升级趋势明确，产业链持续受益
考虑到未来AI手机离线大模型需要大量数据作为底层支撑，以及流畅运行AI应用所需的内存性能，预计未来AI手机的逐步兴起将带动手机DRAM和NAND在性能和容量方面的全方面升级。AI任务高频高密特性对手机散热、电池、摄像头、PCB等零部件同样提出了更高标准。AI手机有望成为继5G之后新一轮手机换机拐点，相关产业链公司有望持续受益，包括存储（江波龙、德明利）、PCB（鹏鼎控股）、结构件（领益智造）、玻璃盖板（蓝思科技）、声学（歌尔股份）、电感（顺络电子）、SiP封装（环旭电子）等。
