2026年上半年，全球半导体存储行业正处于AI浪潮驱动的“超级周期”强势扩张阶段。浦银国际科技硬件中期展望报告指出，2Q26常规DRAM合约价环比+58-63%，NAND合约价+70-75%，韩国半导体5月出口371.6亿美元（+169.4%）创历史新高。存储原厂库存已降至约4周“极低水位”，全面进入卖方市场。美光已签署16份5年期SCA战略客户协议锁定千亿美元收入底线，DDR2、SLC NAND等利基市场受产能挤出补涨延续，存储涨价正从大宗向全品类扩散。
存储价格全面拉升，韩国出口验证景气强度
2026年上半年存储价格涨幅显著，带动行业产值预期大幅上修。TrendForce集邦咨询已将2026年全球存储器产值预估上调至8,893亿美元（原为5,516亿美元），其中DRAM产值6,187亿美元（年增303%），NAND Flash达2,706亿美元（年增280.7%）；2027年DRAM预计达9,033亿美元（年增46%），NAND近3,794亿美元（年增40.2%）。
韩国作为全球存储主力产区，半导体出口变化是重要“晴雨表”。韩国产业通商资源部数据显示，韩国半导体5月出口额371.6亿美元（同比+169.4%），占韩国总出口额的42.3%，连续3个月突破300亿美元大关。其中DRAM出口额186亿美元（同比+369.8%），NAND flash出口17亿美元（同比+206.8%）。存储原厂库存降至极低水位——SK海力士在2月投资者会议上表示DRAM和NAND库存已降至约4周“极低水位”，模组大厂威刚亦表示三大原厂库存约3至5周安全水位，已接近警戒线。
利基型存储补涨，涨价从大宗扩散至全品类
涨价正从大宗存储向利基市场全面扩散。TrendForce集邦咨询预测3Q26常规DRAM合约价季增13%-18%，NAND Flash合约价季增10%-15%。由于成熟制程DRAM供给结构性紧缩，DDR2、DDR3等Consumer DRAM颗粒合约价延续上涨趋势，DDR2 2Q26合约价涨幅达55%-60%，3Q26预估进一步上涨35%-40%。
SLC NAND同样受益于高层数3D NAND排挤成熟产能，原有利基应用需求爆发。TrendForce预计这一趋势将推动2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120%-170%（1H26为+130-150%），且不排除上修空间。存储涨价已从HBM、Server DRAM向利基型存储全面渗透，本轮景气的广度和深度均创历史之最。
长协模式重构行业周期，估值回调后具修复空间
表：存储原厂长期协议（LTA/SCA）最新进展| 公司 | 协议类型 | 覆盖规模 | 关键条款 |
|---|
| 美光 | 5年期SCA（16份） | 20% DRAM、33% NAND | 最低价对应约1000亿美元收入，附220亿美元财务承诺 |
| 闪迪 | NBM（5份） | 超110亿美元 | 固定价+浮动价结合，覆盖FY27 1/3 bit供应量 |
| 三星 | 多年期LTA | 推进中 | 约束性承诺强于既往合约 |
| SK海力士 | 多年期LTA | 评估中 | 兼顾客户供给稳定+公司投资效率 |
AI需求爆发带来的持续供需紧张，正推动存储行业商业模式从典型周期品向稳定性供应商转变。多年期、带约束条款的长期协议正在为存储原厂构建极高的业绩安全垫和盈利确定性。美光FY26 Q3已签署16份5年期SCA（战略客户协议），覆盖20% DRAM和33% NAND，附有220亿美元财务承诺。闪迪已签署5份NBM（新商业模式），最长期限5年、合计超110亿美元，覆盖FY27预计bit供应量超过1/3。三星和SK海力士亦在推进多年期LTA。
长协模式叠加原厂资本开支向HBM等高端工艺倾斜（HBM高晶圆消耗比率造成对通用产能的虹吸效应），共同弱化传统存储周期的波动幅度。虽然韩国杠杆ETF规模上半年暴增约800%至450亿美元引入非基本面波动，但存储产业实际需求趋势未变。展望2H26，存储价格维持坚挺，长协锁定的业绩安全垫与极端回调后的估值修复机会并存。
