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高性能MEMS国产替代

东吴证券2024年8月发布的MEMS行业报告指出,高性能MEMS惯性传感器市场高度集中,Honeywell、ADI和Northrop Grumman/Litef三家行业巨头占据超50%市场份额。芯动联科等国内企业已通过完全自主设计的MEMS芯片与ASIC芯片成功打破国外厂商长期垄断格局。本文基于报告核心数据,深度解析高性能MEMS惯性传感器的国产替代逻辑与投资机遇。

2021年全球高性能MEMS约7亿美元,CR3超50%

据Yole统计数据,2021年全球高性能MEMS惯性传感器市场规模约7亿美元,市场高度集中。Honeywell销售额1.54亿美元(市占率34%)、Analog Devices(ADI)0.59亿美元(13%)、Northrop Grumman/Litef 0.36亿美元(8%),三家行业巨头合计占据超过50%的市场份额。其他公司合计2.04亿美元(45%)。从地域来看,MEMS领域美国占据较强地位,有接近一半厂商属于美国,欧洲有博世、意法半导体、恩智浦等,日本厂商以特色占有一席之地。
表2:2021年全球高性能MEMS惯性传感器竞争格局
排名厂商销售额(万美元)市场份额
1Honeywell15,37734%
2Analog Devices5,87913%
3Northrop Grumman/Litef3,6188%
其他其他公司20,35245%

芯动联科引领国产突破,打破国外长期垄断

芯动联科是中国最早成立的MEMS研发公司之一,现已拥有完整的芯片设计、晶圆制造、封装与测试等全产业链的自主研发设计能力。凭借完全自主设计的MEMS芯片与ASIC芯片,芯动联科成功打破了国外厂商长期垄断的格局,产品性能达到国内领先、国际先进水平,广泛应用于高端工业及无人系统等领域。敏芯股份通过15年持续投入,在MEMS声学传感器领域实现全生产环节自主可控;星网宇达是国内少数具备惯性器件及惯导系统制造能力的民营企业之一。

核心技术壁垒高筑,研发与工艺双轮驱动

高性能MEMS惯性传感器的技术壁垒主要体现在三方面。一是需要与晶圆代工厂紧密合作,实现针对不同MEMS芯片的定制化工艺方案,确保产品高性能与高可靠性。二是需要在高可靠性领域实现技术突破,如抗高冲击、平台稳定性和超低噪声等。三是在ASIC芯片设计上持续优化,提升产品重复性和非线性指标,增强复杂环境下测量精度。技术壁垒高筑使得高性能MEMS领域长期被少数国际巨头垄断。

政策支持力度加大,国产替代前景光明

国家高度重视电子元器件产业发展,相继出台一系列法律法规、规划纲要及产业鼓励政策。2021年《国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》将集成电路部分包含微机电系统(MEMS)等特色工艺突破纳入国家重点方向;《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》明确重点发展新型MEMS传感器和智能传感器;《产业结构调整指导目录(2019)》将集成电路设计、装备制造、半导体材料等项目列入鼓励类。政策支持为MEMS国产替代提供了坚实制度保障。
点击阅读报告原文: 国防军工行业深度报告:MEMS惯性器件应用广泛有望开拓广阔替代空间-240826(15页)
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