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临时键合与解键合设备

先进封装中晶圆减薄至10μm以下需要临时键合提供机械支撑,催生临时键合与解键合设备需求。2020年全球临时键合/解键合设备市场价值1.13亿美元,预计2027年以7% CAGR增长至1.76亿美元。MEMS(约占35%)和先进封装(约占31%)是两大应用市场。东吴证券认为,随着Chiplet、HBM等2.5D/3D封装技术加速渗透,临时键合与解键合设备需求将持续增长,国内芯源微、迈为股份正加速布局。

临时键合:超薄晶圆先进封装的先导工艺

晶圆减薄至100μm以下时易翘曲弯折甚至破裂,必须引入临时键合提供机械支撑。减薄至10μm以下可增强散热(降低热阻)、提升电学性能(缩短互连长度)、提高集成度(制造更小节距TSV)、降低成本(提高加工速度和产量)。临时键合分为热压临时键合(高温真空施加压力)和UV固化临时键合(紫外光透过载片照射键合胶)。工艺中键合胶的均匀性和厚度直接影响键合效果。

解键合工艺:激光解键合是主流,光学解键合是新方向

解键合方法对比:机械剥离(室温、成本低但破片率高);湿化学浸泡(室温、无应力但产能极低);热滑移(150-235℃、工艺简单但仅适用小尺寸);激光解键合(室温、产能高、工艺窗口宽、适用于8英寸以上大尺寸,是目前主流方案)。激光解键合透过透明载板烧蚀响应层,在低于10N脱粘力下去除载板,大大降低超薄晶圆碎片率。ERS 2024年推出光学解键合设备Luminex,无需激光释放层,高良率、低成本、无残胶,有望成为新方向。

临时键合设备市场与竞争格局

2020年全球临时键合/解键合设备市场价值1.13亿美元,预计2027年达1.76亿美元(CAGR 7%)。中国市场销量份额最大(约全球1/3),日本约20%。国外主要供应商EVG、SUSS、TEL。设备核心技术壁垒:机械应力控制(防止超薄晶圆翘曲/碎裂)、高温适配性(键合材料需加热固化)、高对准精度(国际先进水平<50nm)、多工艺兼容性。

国产设备突破:芯源微+迈为股份

芯源微自主研发全自动临时键合及解键合机,可应用于InFO、CoWoS、HBM等2.5D/3D路线,兼容国内外主流胶材工艺,适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求,键合后产品TTV及翘曲度表现优异。2024Q1-3临时键合机、解键合机验证顺利,已与国内多家2.5D和HBM客户达成深度合作。迈为股份布局临时键合、解键合、混合键合全系列键合设备,临时键合TTV小于5微米,满足12英寸大尺寸晶圆需求。国内设备商在临时键合/解键合环节有望复制涂胶显影设备的国产替代路径。
表:主流解键合工艺对比
工艺解键合温度耐受温度优点缺点
机械剥离室温<300℃成本低、工艺简单破片率高、产能低
湿化学浸泡室温<300℃无应力、剥离完全产能极低、耗时长
热滑移150-235℃<250℃工艺简单、成本低仅适用小尺寸
激光解键合室温<350℃产能高、大尺寸适用设备成本较高
点击阅读报告原文: 【东吴证券】半导体键合设备行业深度:先进封装高密度互联推动键合技术发展,国产设备持续突破-250305(44页)
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