东吴证券AI终端散热报告显示，芯片TDP（散热设计功率）已成为衡量散热需求的核心指标。Apple A系列TDP从A14的6W提升至A18 Pro的8W，骁龙8 Gen 4达8.2W。热阻公式R=L/(K×A)揭示了散热优化的三个方向——厚度更薄、导热系数更高、散热面积更大。DRAM独立封装、VC均热板、多层石墨正共同构筑AI终端散热新体系。
TDP持续攀升：A系列6W→8W，骁龙5.3W→8.2W
TDP（Thermal Design Power）是散热系统设计的核心指标，代表芯片对散热能力的要求。Apple A系列芯片TDP从2020年A14的6W提升至2024年A18 Pro的8W，增幅33%。制程工艺从5nm演进至3nm，晶体管数量从11.8B增至19B，CPU主频从3.1GHz升至4.04GHz。
安卓旗舰SoC同样呈现功耗快速攀升趋势。骁龙8 Gen 1 TDP为5.3W（2021年），至骁龙8 Gen 4已提升至8.2W，三年增幅达55%。联发科天玑9000 TDP为4W，天玑9300提升至7W。苹果与安卓SoC功耗共振攀升，共同推动手机散热系统从“可选”变为“必选”，从“单材料”走向“多材料模组”。
热阻公式：R=L/(K×A)——散热的物理底层逻辑
热阻公式R=(T2-T1)/P定义了温度差与功率的关系。进一步拆解为R=L/(K×A)，其中L为材料厚度、K为热导率、A为垂直于热流方向的截面积。这一公式揭示了散热优化的三个明确方向：厚度更小、热导率更大、散热面积更大。
参照A18 Pro 8W的TDP，假设80%热量流向散热片，芯片温度85℃与最高环境温度45℃温差40℃，则散热片一侧目标热阻为6.25K/W。确定目标热阻后需为各元件设计散热目标，使散热元件热阻总和低于目标热阻。这一物理框架为散热材料选择和设计优化提供了量化依据。
DRAM独立封装：改善PoP堆叠散热瓶颈
韩媒The Elec报道，三星应苹果要求开始研究新的LPDDR DRAM封装方式——独立封装。2010年起iPhone就采用堆叠式封装（PoP）方案，内存直接叠在SoC上通过Pitch连接以最大限度减少设备体积。但PoP技术因芯片过于靠近，在端侧AI负载要求下带宽和散热问题严重。
通过分开封装DRAM和SoC，可以增加I/O引脚数量，提高数据传输速率和并行数据通道数量，并显著改善散热性能。独立封装使DRAM和SoC之间热耦合程度降低，同时为更大面积的散热片留出空间。这一变化意味着散热设计正从“芯片级”延伸至“封装级”，从更底层解决AI负载下的热问题。
散热系统设计：热阻分配与材料选择
散热是“从里到外”的多环节系统工程。热源产生的热量需经热拓展装置（石墨膜）扩展至更大表面积，再经导热界面材料传导至热管或均热板，最后通过机壳向外界转移。每个环节均有其热阻贡献，需根据热预算进行热阻匹配设计。
PCB和元件同样承担一部分散热能力。通过提高层压精度、埋铜增加散热能力，PCB的热阻可以降低。元件端如一体成型功率电感不仅能助力小型化，还能适合高功率大电流场景。散热设计正从单一材料优化转向系统级热阻管理，对供应商的集成设计能力提出更高要求。
主流安卓SoC TDP演进| 芯片 | 发布时间 | TDP |
|---|
| 骁龙8 Gen 1 | 2021年 | 5.3W |
| 骁龙8 Gen 2 | 2022年 | 6.3W |
| 骁龙8 Gen 3 | 2023年 | 6.3W |
| 骁龙8 Gen 4 | 2024年 | 8.2W |
| 天玑9000 | 2022年 | 4W |
| 天玑9200 | 2023年 | 7W |
| 天玑9300 | 2024年 | 7W |
投资建议：热管理产业链受益明确
芯片TDP持续攀升推动散热需求刚性增长，热管理产业链受益明确。东吴证券建议关注三条主线：一是VC均热板方案（领益智造、苏州天脉），受益于“线”到“面”的散热升级趋势；二是导热界面材料（中石科技），受益于TIM在芯片与散热器间建立传导通道的刚需；三是石墨散热膜（思泉新材、捷邦科技），多层石墨叠加趋势持续提升用量。
从估值角度看，领益智造2025年预期PE约24倍，中石科技约29倍，处于合理区间。AI终端散热需求具备长期成长性——芯片性能提升永不止步，散热升级亦永无止境。
