SiCvsIGBT在电阻、频率、工作温度对比
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若特斯拉下一代降低 75%SiC 的动力单元量产落地,关注高低端车型的电控路线分化可能性:1)在 B 级以下的低端车型中,我们认为可以通过沟槽型 MOS 方案或 SiC+IGBT两种路线实现 SiC 用量的降低,特斯拉下一代车型落地或将带动国内低端车型厂商技术路线转变;2)在高性能车型中,SiC 相对于硅基 IGBT 而言在高压平台中具有较大性能优势,降低 SiC 用量的方案短期有待验证。
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