此外，氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第 3 代半导体衬底 SiC 晶体接近，使其能够与 SiC 晶体材料匹配更稳定。氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能最好的陶瓷基板材料，这使氮化硅成为第 3 代 SiC 半导体功率器件高导热基板材料的首选。据 Ferrotec 统计，当前 600V 以上功率半导体所用的陶瓷基板主要采用 DBC 和 AMB 工艺，其中 AMB 工艺 Si3N4陶瓷基板主要用于电动汽车（EV）和混合动力车（HV）功率半导体，AMB 工艺 AIN 陶瓷基板主要用于高铁、高压变换器、直流送电等高压、高电流功率半导体。
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