紫光国芯嵌入式DRAM（SeDRAM™）技术示意
2025-06-23 13:38:15
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紫光国芯（紫光国微参股公司）的 SeDRAM™技术已迭代至第四代，成功开发多款量产产品。SeDRAM 技术采用纳米级互连将 DRAM 晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现嵌入式存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计提供“带宽+容量”的差异化存储组合方案；同时为不同的逻辑工艺提供标准化接口和测试 IP，使 SoC 客户能够方便简单地集成。在 24 年 12 月举行的ICCAD 2024 大会上，紫光国芯表示其 SeDRAM技术已发展至第四代，可为算力芯片提供每秒高达数十 TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量，是助力算力芯片性能极致发挥的超高带宽存储解决方案。过去十年，紫光国芯成功支持了包括行业头部厂商在内的客户完成数十款芯片产品的研发或量产，应用案例数量在业界处于领先地位。
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