SiC 器件的报价在持续下降，并与硅基器件价差逐渐缩小。根据 CASA Research 统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC 肖特基二极管（SBD）以及 SiCMOSFET 器件近年来在逐步下降，其中 650V SiC SBD 报价在 2018-2020 年的复合降幅达到 25%，而 650V SiC MOSFET 的复合降幅为 32%。由于 SiC 器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。根据 CASA 第三代半导体产业发展报告的数据显示，在公开报价方面，650V的SiC SBD 2020年底的平均价格是1.58元/A，较2019年底下降了13.2%，与 Si 器件的价差在 3.8 倍左右。1200V 的 SiC SBD 的平均价是 3.83 元/A，较 2019 年下降了 8.6%，与 Si 器件的差距在 4.5 倍左右。据 CASA 调研显示，实际成交价低于公开报价 650V 的 SiC SBD 的实际成交价格约 0.7 元/A，1200V 的 SiC SBD 价格约 1.2 元/A，基本约为公开报价的 60%-70%，较上年下降了 20%-30%，实际成交价与 Si 器件价差已经缩小至2-2.5倍之间。而SiC MOSFET价格下降幅度达30%-40%，与Si器件价差收窄到2.5-3倍之间。