氮化镓、碳化硅材料在耐热性、耐压性等方面相对硅与砷化镓材料具有显著优势
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第三代半导体氮化镓、碳化硅材料在耐压性等方面性能优势突出。目前，在主要半导体材料中，以硅为代表的第一代半导体材料应用最为广泛。但是，硅材料所能抵抗的频率和电压都较低，在高温、高压及大电流等场景下存在性能瓶颈。与前两代半导体材料相比，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半导体材料具备高频、耐高压、耐高温等优越性能，在新能源车、光伏、数据中心、轨道交通等领域有着很大应用潜力。
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