06.上游:成本及价值量最大,衬底保持高速增长 ·在碳化硅器件制造流程中,由衬底与外延共同构成的“晶圆材料”环节,占据价值核心地位。此环节技术壁垒最高,且约占总成本的70%(其中衬底占比近半,约47%),其质量直接界定上游原材 料规格标准,并从根本上限定下游SBD、MOSFET等最终器件的性能上限。 衬底产品方面,依碳化硅不同分类,可分为导电型与半绝缘型两类衬底材料。全球碳化硅衬底市场规模从2020年的30亿元人民币增至2024年的88亿元人民币,复合年增长率达30.86%。预计至 2030年,市场规模将跃升至585亿元人民币,复合年增长率达37.1%,持续保持高速增长态势。