ASML韩国市场收入及增速（1Q22-1Q26）

向后看，我们认为存储超级周期是本轮设备上行的主要引擎。我们预计 2026-2028 存储资本开支复合增速约+36%，2028E 达 1,937 亿美元。1）一方面，HBM4/HBM4E 要求 DRAM Die 由 1b 向 1c 迁移，同时 Base Die 向 4nm/3nm 等先进逻辑工艺升级，将带来更多 EUV和高端 DUV 步骤。随着三星电子、SK 海力士推进 HBM 和 1c/1d DRAM 量产，单位存储产能对应的 ASML 设备价值量有望提升；1Q26 公司韩国收入达 28.3 亿欧元，占系统收入比例约 45%，韩国市场光刻强度仍有上行空间。2）另一方面，2026 年 6 月，三星与 SK 海力士相 继公布韩国本土中长期扩产计划：三星拟在韩 国投资约 2,655 万亿韩元，其中平泽、龙仁等半导体集群及区域半导体/HBM 项目是重要方向；SK 海力士提出约 1,100 万亿韩元中长期投资，覆盖龙仁半导体集群、清州及西南地区，若三星、海力士大幅扩产，存储资本开支或仍有上调空间。我们认为，存储超级周期是本次将 2028 年设备投资上调、延续上行景气的主要依据，看好 ASML 等设备厂商受益存储扩产周期。