基于铟镓锌氧化物（IGZO）材料的薄膜晶体管（TFT）结构示意
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ALD 技术在铟镓锌氧化物（IGZO）等新型半导体材料制备的应用增加。以铟镓锌氧化物（IGZO）作为代表的宽禁带半导体材料，可以有效抑制关态漏电流，具有理想的迁移率、低热预算等优点，在三维堆叠存储器、单片三维集成中具有重要的应用潜力，有助于提高晶体管的集成密度。另外，在显示应用领域，相比传统非晶硅和低温多晶硅晶体管，OGZO 薄膜晶体管很好地兼备了高迁移率、大面积成膜均一、低成本且工艺兼容的优势，被大规模地应用在新一代显示驱动领域。制备 IGZO 的关键是精确控制元素配比和含氧量，通过 ALD 技术可以获得到具有精确厚度、较低氧缺陷的高性能 IGZO 薄膜。
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