PECVD 为芯片制造主要薄膜沉积方式。根据不同原理薄膜沉积设备主要分为 CVD 设备、PVD 设备和 ALD 设备。化学气相沉积是通过化学反应的方式,利用加热、等离子或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。常用CVD 设备包括 PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD、ALD 等,适用于不同工艺节点对膜质量、厚度、孔隙沟槽填充能力等不同要求。PECVD 利用等离子体技术,在相对较低反应温度下形成高致密性、高性能薄膜,被广泛应用于逻辑芯片、DRAM 芯片以及 3D NAND FLASH 芯片的制造过程中,包括形成介质层、钝化层以及硬掩膜等工艺领域,占总薄膜沉积设备 33%。