DBC衬板应用场景受限，AMB衬板性能优势明显。由于 AMB氮化硅基板有较高热导率（>90W/mK），可将非常厚的铜金属（厚度可达 0.8mm）焊接到相对薄的氮化硅陶瓷上，载流能力较高；且氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第 3 代半导体衬底 SiC 晶体接近，使其能够与 SiC 晶体材料匹配更稳定，因此成为 SiC 半导体导热基板材料首选，特别在 800V以上高端新能源汽车中应用中不可或缺。另外，目前以硅基材料为主的 IGBT模块在具有高导热性、高可靠性、高功率等要求的轨道交通、工业级、车规级领域正逐渐采用 AMB陶瓷衬板替代原有的 DBC陶瓷衬板。
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