9 大工艺环节,海外大厂全覆盖,国内厂商覆盖关键环节。2.5D/3D 封装全流程包含深硅刻蚀、光刻、CMP、键合、金属化、绝缘层钝化、夹取、划片、测试等 9 大工艺环节。目前海外已有完整的供应链,实现全流程覆盖。相对来说,国内企业处于追赶阶段,但也已经实现关键工艺环节的技术布局。设备端来看,由于封装所用到制程相对晶圆制造而言要求低很多,如光刻机、刻蚀机、镀膜设备、清洗设备、CMP等均已实现国产化。如深硅刻蚀环节,中微公司已经可以实现 60:1 的高深宽比刻蚀,并计划于 2025 年推出 90:1 的深硅刻蚀;光刻环节,上海微电子后道光刻机早已量产;CMP 环节,华海清科打破应用材料和日本荏原的垄断,成功实现国产替代;金属化环节,拓荆科技 ALD 产品可在 20:1 深宽比下实现 95%的台阶覆盖率,北方华创的镀膜产品可满足 3D NAND 的需求。而后端封装过程,精度要求较高的塑封机、倒装固晶机以及研磨切割等设备目前主要采用海外大厂的产品,国内公司在键合领域进展较快,拓荆科技的 W2W 混合键合产品已通过客户验证并取得重复订单,芯源微临时键合设备早已进入客户端批量销售。