平安证券报告详细梳理了全球三大存储原厂的扩产计划。为了应对AI驱动的快速增长的存储需求，三星电子、SK海力士、美光等原厂纷纷加大产能扩建，但新增产能的大规模释放普遍要在2027年之后。三星平泽P4工厂提前至2026年底投产，SK海力士龙仁半导体集群2027年2月起陆续投产，美光纽约州2027-2030年投产。在新增产能规模落地之前，存储供应紧缺态势将延续，产业链盈利能力有望持续提升。
三星电子——平泽P4提前投产，P5规划已启动
三星是全球存储产能最大的原厂，扩产步伐最为激进。韩国平泽P4工厂原计划2027Q1投产，已提前至2026年底，预计满产后DRAM月产能10-12万片、NAND Flash月产能5-6万片。平泽P5工厂预计2028年投产、2030年满产，目前处于早期建设阶段。华城17号线制程升级扩建预计2026年底满产，DRAM新增3-4万片/月。三星的激进扩产策略反映了对AI存储需求长期景气的坚定判断，但大规模产能释放最早要到2027年。
SK海力士——龙仁集群2027年投产，HBM产能优先扩充
SK海力士是HBM市场的绝对领导者，扩产重心向HBM倾斜。韩国龙仁半导体集群一期预计2027年2月起陆续投产，规划在3年间新增DRAM月产能至36万片。韩国清州M15X工厂预计2026-2027年投产，2027年产能增长至8万片/月。SK海力士的扩产节奏与HBM需求高度同步——英伟达Rubin的量产对HBM3e和HBM4需求激增，SK海力士在HBM市场的先发优势有望在扩产后进一步巩固。
美光——北美+日本双线布局，长协锁定盈利
美光的扩产布局最为全球化。美国爱达荷州工厂预计2026年下半年投产HBM与先进封装，纽约州工厂2027-2030年投产、满产后月产能可达10万片。日本广岛工厂预计2028年6-8月开始出货、2030年达最大产能，规划最多4座晶圆厂。新加坡HBM封装2027年投入运营，中国台湾铜锣晶圆厂2028财年开始出货。美光近期宣布与多家客户签署长协，锁定出货量及价格上下限并收取保证金，预计未来至少50%收入来自长协，盈利确定性大幅增强。
产能释放集中于2027年后——短期供应紧缺难以缓解
综合三大原厂扩产计划，新增产能大规模释放普遍在2027年之后。2026年仅有三星P4提前至年底投产、美光爱达荷州下半年投产，产能增量有限。2027年起SK海力士龙仁集群、美光纽约州等大规模产能将陆续释放。在2027年之前的供应紧缺态势短期难以缓解，Omdia数据显示DRAM供需缺口将持续至26Q4。供应紧缺叠加价格高位运行，存储产业链盈利能力有望持续改善，国产存储厂商有望抓住供应链缺口加速国产替代。
存储原厂扩产计划汇总| 厂商 | 核心项目 | 预计投产时间 | 关键产能目标 |
|---|
| 三星 | 平泽P4 | 2026年底 | DRAM 10-12万片/月，NAND 5-6万片/月 |
| 三星 | 平泽P5 | 2028年投产，2030年满产 | 具体产能待定 |
| SK海力士 | 龙仁集群一期 | 2027年2月起 | DRAM 3年增至36万片/月 |
| SK海力士 | 清州M15X | 2026-2027年 | 2027年8万片/月 |
| 美光 | 纽约州 | 2027-2030年 | 满产10万片/月 |
| 美光 | 日本广岛 | 2028年 | 4座晶圆厂规划 |
