平安证券报告指出，DRAM正成为AI时代最受益的存储品类。TrendForce预计2027年DRAM产值将增长至9,033亿美元，2023-2027年CAGR约62%。AI服务器对HBM和DDR5的强劲需求是核心驱动力，服务器在DRAM中的占比预计2027年将达64%。英伟达Rubin服务器全面量产进一步拉升单机存储用量，GPU内存容量达H100的4.1倍。在新增产能大规模释放需待2027年后的背景下，DRAM供不应求态势将延续。
DRAM产值9000亿美元——AI时代的最大受益者
DRAM是存储芯片中价值量最高、与AI算力关联最紧密的品类。TrendForce预计2027年DRAM产值将增长至9,033亿美元，占全球存储总产值的70%以上。这一量级意味着DRAM将超越NAND Flash成为存储市场绝对主导。当前AI发展重心逐步由大模型训练转向以推理为核心的Agentic AI应用，推理阶段对DRAM的带宽和容量要求更高，进一步拉升DRAM需求。预计2026年全球半导体存储将达8,893亿美元，2027年同比+44%至1.28万亿美元，DRAM贡献了其中绝大部分增量。
服务器占比升至64%——DRAM需求结构的根本性转变
从下游领域看，本轮存储上行周期的核心贡献来自服务器端。AI服务器对DRAM的规格（HBM、DDR5）和容量要求远高于通用服务器，推动服务器在DRAM市场中占比持续提升。Omdia数据显示，预计2027年服务器在DRAM中的占比将增长至64%，2030年有望进一步升至约70%。相比之下，PC端DRAM占比持续压缩，移动端占比亦呈下降趋势。DRAM下游需求结构正从"消费电子主导"向"服务器主导"根本性转变，这一结构性变化将伴随AI算力投资的持续高增而长期延续。
HBM——DRAM产值增长的核心引擎
HBM（高带宽内存）是AI训练芯片的标配，也是DRAM产值增长的最核心引擎。英伟达Rubin NVL72的GPU内存容量是H100 DGX x8的4.1倍，HBM在单台AI服务器中的价值量占比持续提升。SK海力士、三星、美光三大原厂HBM产能在2025-2026年持续紧张，HBM的单价和利润率远高于传统DRAM。美光近期宣布与多家客户签署长协，锁定出货量及价格上下限并收取保证金，预计未来至少一半收入将来自长协。长协的签署进一步夯实了DRAM原厂未来盈利的确定性。
新增产能短期无法落地，供应紧缺贯穿2026-2027年
为了应对快速增长的存储需求，各家存储原厂开始加大产能扩建，但新增产能大规模释放普遍要在2027年后。三星韩国平泽P4工厂预计2026年底投产（DRAM月产能10-12万片），平泽P5工厂2028年投产；SK海力士龙仁半导体集群一期2027年2月起陆续投产（DRAM月产能规划3年增至36万片）；美光纽约州2027-2030年投产（满产后月产能可达10万片）。在新增产能大规模落地之前，DRAM供应紧缺态势将延续，Omdia数据显示DRAM供需比从25Q1的约+2%降至26Q4的约-8%，供应缺口逐季放大。
DRAM下游应用占比变化预测| 应用领域 | 2025E | 2027E | 2030E |
|---|
| 服务器 | 约55% | 64% | 约70% |
| PC | 约20% | 约15% | 持续压缩 |
| 移动端 | 约15% | 约12% | 持续压缩 |
| 其他 | 约10% | 约9% | 约8% |
