国元证券2025年电子行业策略报告指出，存储芯片是2024年半导体复苏的核心驱动力之一，但存储的成长周期并未结束。DDR5渗透率持续提升、HBM3e向12Hi升级、利基DRAM国产替代加速等结构性变化，将在2025年继续推动存储芯片市场扩张。本文基于国元证券研报，系统分析存储芯片的复苏节奏与投资主线。
2024年存储芯片主导行业复苏
2024年全球半导体销售额预计同比增长18.15%至6224亿美元，其中存储芯片贡献了约55%的增长增量。DRAM和NAND价格从2023年低点大幅反弹，主要受AI服务器对HBM和DDR5的强劲需求拉动。
以2023年1月为基准，存储主要芯片价格在2024年经历先升后稳的走势。HBM类型存储价格弹性最大，传统DRAM和NAND价格在Q3后趋于平稳。存储芯片成长周期并未结束，但价格涨幅最快的阶段已过，后续关注HBM和DDR5等结构性增量。
DDR5渗透率提升带动内存接口芯片需求
DDR5渗透率在2024年持续提升，带动内存接口芯片需求增长。以内存接口芯片龙头为例，其DDR5内存接口芯片出货占比在2024年Q3超过50%，第三子代RCD芯片在24Q4开始小规模出货。预计2025年DDR5渗透率有望达到85%。
DDR5世代的产品迭代频率加快，每一子代产品生命周期约2-3年，产品毛利率保持在60%以上。DDR5渗透率的持续提升将直接带动内存接口芯片的量价齐升，并推动相关配套芯片如SPD、TS、CKD等的出货增长。
HBM升级——12Hi量产与容量提升
HBM是AI服务器算力提升的关键瓶颈。英伟达B200采用HBM3e 8Hi，容量192GB；B200A采用12Hi，容量144GB；GB300进一步升级至12Hi 288GB。HBM3e从8Hi向12Hi的升级提前量产，对海力士的良率构成较大挑战。
预计2025年供需结构影响下，HBM价格可能先降后升。12Hi HBM3e提前量产将增加短期供给，但AI服务器需求持续旺盛将消化新增产能。到下一代Rubin架构，HBM4将采用8Hi/12Hi，容量和带宽进一步提升。HBM在系统价值量占比从5%（H100）提升至11%（GB300），价值量持续提升。
利基存储与Nor Flash的国产替代机遇
在利基DRAM领域，原厂退出趋势将空出市场份额。国内厂商实现从代销DRAM向自研DRAM的转变，从长鑫采购额度从1.2亿美元提升至1.4亿美元，带来较大业绩弹性。定制化存储应用于端侧AI，成为国产替代的增量方向。
Nor Flash价格在2024年底部企稳，AIPC、TWS和AI服务器等产品规格提升带动市场需求温和复苏。字节首款AI硬件Ola Friend AI耳机搭载两颗128Mb Nor Flash，Nor Flash在端侧AI中的应用场景不断拓展。工业去库存有效，MCU需求预计持续回暖。
不同GPU世代HBM配置与成本占比对比| GPU型号 | HBM规格 | HBM容量 | HBM占总成本比例 |
|---|
| H100 | HBM3 8Hi | 96GB | 约5% |
| H200 | HBM3e 8Hi | 141GB | — |
| B200/GB200 | HBM3e 8Hi | 192GB | 约8% |
| GB300 | HBM3e 12Hi | 288GB | 约11% |
