五矿证券报告指出，光通信已成为锗金属最大的下游应用领域。2026年光纤通信领域占锗下游需求量的40%左右，约为96吨。受AI算力集群建设加速影响，800G/1.6T高速光模块全面渗透，G.654E超低损耗骨干光纤升级，高纯四氯化锗作为光纤掺杂剂无经济可行替代方案。该领域锗需求在2026-2027年的增速中枢为25%，预计2027年需求达120吨。
四氯化锗——光纤预制棒的"味精"
锗以光纤级高纯四氯化锗（5N级以上，含量≥99.999%）形式作为光纤预制棒的核心掺杂剂，通过精准提升纤芯折射率，实现光信号在数据中心间的高速、低损耗传输。光纤预制棒是一种基于总内部反射原理的波导介质，由核心和包层组成，核心材料通常是掺杂二氧化锗的二氧化硅，包层材料为纯二氧化硅。光纤预制棒的生产主要采用化学气相沉积（CVD）技术，在石英玻璃管内通过高温（约1000-1500°C）将挥发性氯化物前驱体转化为氧化物薄膜。工艺中锗源为四氯化锗，通过精确控制掺杂比例实现二氧化锗浓度通常在5-20mol%之间。四氯化锗的优势在于热稳定性好、不易分解，且氯化物体系产生的氯气副产物可作为催化剂促进二氧化硅的玻璃化。
AI算力驱动——800G/1.6T光模块全面渗透
受AI算力集群建设加速影响，800G/1.6T高速光模块全面渗透，G.654E超低损耗骨干光纤升级。据高盛与LightCounting预计，2026-2027年全球高速光模块（800G以上）出货量预计分别为5,968万支、9,071万支。光纤级高纯四氯化锗年内涨幅达231%。该领域锗需求在2026-2027年的增速中枢为25%，增量约为24吨，预计2027年需求达120吨。受益于AI数据中心及算力网络建设推动，光纤市场需求走出低迷，四氯化锗销量同比上涨。
硅光集成——锗开辟高端半导体应用新空间
在硅光集成领域，锗的核心作用在于填补了硅基材料在通信波段的光学盲区，凭借其高近红外吸收系数以及与硅工艺的CMOS兼容性，成为硅基光电集成的理想媒介。硅基锗光电探测器通常采用反向偏压PIN结构或雪崩结构，具有波长范围宽、光检测效率高、暗电流低、响应速度快等特点，并且易与硅集成。基于单颗硅光芯片锗沉积质量为0.7mg的假设，测算可得硅光模块2026-2027年总耗锗量为15.04kg、26.67kg。目前需求量增量整体占比较小，但技术趋势明确，远期空间可观。
光通信——锗需求的最大基本盘
据SMM统计分析，2026年光纤通信领域占锗下游需求量的40%左右，约为96吨，传统需求增速维持在年增长10%左右。而受AI算力集群建设加速影响，该领域锗需求在2026-2027年的增速中枢为25%。预计2027年光通信领域锗需求达120吨。到2027年，锗金属在AI硬件方向的需求为120吨，占锗整体下游需求的41.7%。光通信已成为锗需求的最大基本盘，且增长动能正从传统光纤升级向AI算力基建全面切换。
光通信领域锗需求测算| 指标 | 2026年 | 2027年E |
|---|
| 光通信锗需求（吨） | 96 | 120 |
| 占锗总需求比例 | 40% | 42% |
| 需求增速中枢 | 25% | 25% |
| 高速光模块出货量（万支） | 5,968 | 9,071 |
| 硅光技术渗透率 | 36% | 42% |
| 硅光模块耗锗量（kg） | 15.04 | 26.67 |
