（3）3D NAND 存储芯片的堆叠层数持续增加，显著推升了对刻蚀工艺步骤和设备的需求。与传统 2D NAND 将存储单元平铺于晶圆表面不同，3D NAND 采用垂直堆叠结构，可在有限面积内集成更多存储单元，从而突破 2D NAND在微缩接近物理极限时面临的瓶颈。随着堆叠层数从数十层逐步增长至上百层甚至超过 300 层，刻蚀设备在芯片制造设备中的占比也持续上升。以某类 3D NAND 技术路线为例，在月产能设定为 150k/片晶圆的产线中，堆叠层数从 32 层增至 128 层时，刻蚀设备所占比例从 34.90%提升至 48.40%。3D NAND结构的构建高度依赖沉积与刻蚀两大工艺。随着堆叠层数不断扩展，无论是已量产的 64 层、128 层，还是开发中的 300 层以上产品，都对刻蚀设备提出了极高的深宽比能力要求，即精确刻蚀出深度达数微米、孔径仅几十纳米的通道孔或栅线缝隙结构，并保证优异的垂直度、均匀性和侧壁形貌。就加工节点而言，沟道孔洞、阶梯、狭缝对刻蚀设备的需求受层数影响最大，阶梯刻蚀的设备用量与堆叠层数完全呈同比例增长关系。台阶刻蚀（Staircase Etching）也是制造过程中的一大难点。该工艺需要在整体堆叠结构的边缘重复刻蚀出等宽、高度均匀的“阶梯”，以实现字线（Word Line）的逐层接触。这一过程对每层刻蚀的垂直度、均匀性和重复性控制要求极为苛刻，进一步加大了对刻蚀设备和技术能力的依赖。