➢ 新材料方面，台积电宣布其在低维通道材料 2D TMD（二维过渡金属二硫化物，Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides）方面取得突破，可进一步实现尺寸扩展和能量降低。在互联层面，台积电将引入新的垂直互联（Via）以降低 Via 电阻、新的有效串联电感（ESL）以降低耦合电容以及新的铜屏障（Barrier）以降低铜线电阻。而在铜互联之上，台积电称其将采用拥有空气缝隙的新金属材料以进一步降低互联电容与耦合电容，同时其认为插层石墨烯（Intercalated Graphene）将是另一种有前景的新金属材料，未来或可进一步显著降低互连延迟。
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