HBM（4层DRAM+1层逻辑）99%键合良率成本
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资料来源：安靠，招商证券 TSV 工艺价值量在 HBM 3D 封装工艺中占比最高。3D TSV 是 HBM 堆叠工艺中成本占比最高的工艺，根据 3DinCites，考虑 4 层 DRAM die 和 1 层逻辑 die 堆叠的 HBM 结构，在 99.5%和 99%的芯片键合（die bonding）良率下，TSV 制造和 TSV 通孔露出工艺分别占其成本的 30%和 29%。
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