把握先发优势，SiC MOS取得 800V系统主电机控制器项目顶点。IGBT/SiC 模块不仅应用广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦出现问题会导致产品无法使用，给下游企业带来较大损失，替代成本较高，因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购，新的品牌进入市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难，公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大，自主芯片的批量导入和迭代，在供货稳定性及产品先进性上的优势会进一步巩固，从而提高潜在竞争对手进入本行业的壁垒。2023 年，公司应用于新能源汽车主控制器的车规级 SiCMOSFET模块大批量装车应用，同时新增多个使用车规级 SiC MOSFET模块的 800V系统主电机控制器项目定点，将对公司 2024-2030 年主控制器用车规级 SiC MOSFET 模块销售增长提供持续推动力。2023 年，公司自主的车规级 SiC MOSFET芯片在公司多个车用功率模块封装平台通过多家客户整车验证并开始批量出货。2023 年，公司和深蓝汽车合资成立重庆安达半导体有限公司，研发生产高性能、高可靠性的车规级 IGBT 模块和车规级 SiC MOSFET模块，预计2024 年完成厂房建设并开始生产。