图9英飞凌的Gen2CoolSiC™MOSFET在200°C结
2025-03-04 13:44:12
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在电动汽车电控系统方面，目前电控模组主要以 IGBT 模组与冷面之间的刚性界面涂抹导热硅脂为主要方式，减少热阻隔。现下电控系统最大的趋势是从 Si IGBT 过渡到 SiC MOSFET。这种过渡导致结温升高（SiC MOSFET 的结温为 175+℃甚至 200+℃，而 Si IGBT 的结温仅为 150℃）。这种趋势对高性能 TIM 和芯片连接材料的需求有望不断提高。截至 2024 年初，用于电动汽车电力电子器件的典型 TIM2 的热导率约为 3.5 W/mK，但随着时间的推移，这一系数有望提高。例如安森美（onsemi）VE-Trac 中应用的霍尼韦尔（Honeywell）PTM7000，其热导率达到了 6.5 W/mK。
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