图9英飞凌的Gen2CoolSiC™MOSFET在200°C结
2025-03-04 13:44:12
250
相关数据
商业模式1
图 5：在 300 μF输入电容下，以线性模式，对服务器主板实现0V至 800V的预充电(基于英飞凌XDP TM控制IC XDP701和1200VCoolSiC TM JFET组合)
2025-11-13 13:47:12
162
原图定位
行业数据1
博世(Bosch)、DHL、英飞凌(Infneon)
2025-11-04 13:40:25
91
原图定位
市场规模1
英飞凌无锡生产基地持续扩产，打造国内最具规模的先进功率半导体器件生产基地
2025-09-12 13:43:40
205
原图定位
竞争格局1
2020年全球IGBT模块竞争格局：英飞凌竞争力较强，市占率30%以上
2025-09-12 13:43:29
204
原图定位
市场规模1
全球MOSFET市场规模预测（亿美元）
2025-08-19 13:40:00
190
原图定位
行业数据1
SJ（超结）MOSFET
2025-06-27 13:43:45
206
原图定位
行业数据1
SGT（屏蔽栅沟槽）MOSFET
2025-06-27 13:43:45
250
原图定位
行业数据1
Trench（沟槽型）MOSFET
2025-06-27 13:43:45
251
原图定位
市场规模1
全球MOSFET市场规模（百万美元）
2025-06-27 13:43:08
221
原图定位
竞争格局1
2023年中国市场MOSFET市占率
2025-06-27 13:42:58
260
原图定位
竞争格局1
2022年全球硅基MOSFET市场份额
2025-06-27 13:42:58
219
原图定位
行业数据1
中国MOSFET国产化率
2025-05-30 13:46:30
247
原图定位
行业数据1
SJ（超结）MOSFET
2025-05-30 13:45:20
238
原图定位
行业数据1
SGT（屏蔽栅沟槽）MOSFET
2025-05-30 13:45:20
232
原图定位
行业数据1
Trench（沟槽型）MOSFET
2025-05-30 13:45:20
223
原图定位
最新数据
行业数据1
印度已成为半导体全球能力中心（GCC）最具战略意义的地点一一兼具规模、广度和创新准备度。
2026-07-29 08:30:00
0
原图定位
行业数据1
2x2框架：按规模与增长划分的应用
2026-07-29 08:30:00
0
原图定位
行业数据1
图2：.全球资产管理规模增长对比－一公开市场与私人市场，2003-24年
2026-07-29 08:30:00
1
原图定位
行业数据1
满足AI推理需求所需的计算资源规模（以吉瓦计）［9]
2026-07-29 08:31:00
0
原图定位
行业数据1
图4.1：.可规模化AI咨询的关键组件分类
2026-07-29 08:31:00
0
原图定位
在电动汽车电控系统方面，目前电控模组主要以 IGBT 模组与冷面之间的刚性界面涂抹导热硅脂为主要方式，减少热阻隔。现下电控系统最大的趋势是从 Si IGBT 过渡到 SiC MOSFET。这种过渡导致结温升高（SiC MOSFET 的结温为 175+℃甚至 200+℃，而 Si IGBT 的结温仅为 150℃）。这种趋势对高性能 TIM 和芯片连接材料的需求有望不断提高。截至 2024 年初，用于电动汽车电力电子器件的典型 TIM2 的热导率约为 3.5 W/mK，但随着时间的推移，这一系数有望提高。例如安森美（onsemi）VE-Trac 中应用的霍尼韦尔（Honeywell）PTM7000，其热导率达到了 6.5 W/mK。
行业数据
原图定位
相关数据
最新数据
![满足AI推理需求所需的计算资源规模（以吉瓦计）［9]](https://file.sgpjbg.com/FileUpload1/News/2a923cfb-8dea-43d4-9114-4097f1972f49.png "满足AI推理需求所需的计算资源规模（以吉瓦计）［9]")
原图定位
