MOSFET用于实现高速开关,适用于中小功率范围的消费产品。MOSFET由MOS(MetalOxide Semiconductor,金属氧化物半导体)和 FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管)两个缩写组成,场效应管是利用输入回路的电场效应,从而控制输出回路电流的半导体器件。MOSFET 的结构中,两个电极分别为源极 S(Source)和漏极 D(Drain),通过改变栅极G(Gate)电压,在源极和漏极之间形成电流通路,控制晶体管导通和断开。MOSFET 一般分为平面型、Trench(沟槽型)、SGT(屏蔽栅沟槽)、SJ(超结),其中,Trench 采用沟槽刻蚀技术,使导电沟道从横向变为纵向,提高电流处理能力,主要用于低压领域;SGT在传统沟槽 PN 结垂直耗尽的基础上引入水平耗尽,获得更高的击穿电压,主要用于中压和低压领域;SJ 将平面结构的 P-体区结构一直向下,几乎贯穿整个外延层,保证足够的击穿电压,主要用于高压领域。