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MOSFET用于实现高速开关，适用于中小功率范围的消费产品。MOSFET由MOS（MetalOxide Semiconductor，金属氧化物半导体)和 FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管)两个缩写组成，场效应管是利用输入回路的电场效应，从而控制输出回路电流的半导体器件。MOSFET 的结构中，两个电极分别为源极 S（Source）和漏极 D（Drain），通过改变栅极G（Gate）电压，在源极和漏极之间形成电流通路，控制晶体管导通和断开。MOSFET 一般分为平面型、Trench（沟槽型）、SGT（屏蔽栅沟槽）、SJ（超结），其中，Trench 采用沟槽刻蚀技术，使导电沟道从横向变为纵向，提高电流处理能力，主要用于低压领域；SGT 在传统沟槽 PN 结垂直耗尽的基础上引入水平耗尽，获得更高的击穿电压，主要用于中压和低压领域；SJ 将平面结构的 P-体区结构一直向下，几乎贯穿整个外延层，保证足够的击穿电压，主要用于高压领域。
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