低插入损耗，RCL 性能均优于传统 3D IC 平台。在电气性能方面，低插入损耗对于实现两个 SoC 芯片之间的高速、高频数据传输的互连性能至关重要，特别是在 5G通信应用中。在频率小于 30GHz 时，SoIC 几乎没有插入损失，而倒装芯片封装随着频率的增加，插入损失不断增大。除了插入损耗，降低 RC（电阻电容）延迟和 IR（电流电阻）损失，对保证信号完整性和功率完整性非常重要。在归一化尺度下，SoIC 和采用微焊球的 3D IC 在 2 GHz 的时候，前者电阻 R 仅为后者的 8%，电感 L仅为后者的 1%，电容 C 仅为后者的 8%，也即 SoIC 比采用微焊球的 3D IC 在 RC延迟方面性能高出 156 倍，在 IR 损失方面性能高出 12.5 倍。
原图定位
