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理论上来说，颗粒硅的产品特性更适合使用 CCZ 工艺生产 N 型硅片，目前颗粒硅仍存在氢跳、硅粉表面积大易吸附杂质等问题：由于颗粒硅表面存在悬挂键，氢与悬挂键结合，熔化时释放氢气进而发生跳料。若能通过工艺升级解决这些问题，则 N 型片与 P型价差收窄，HIT 性价比进一步超越 P-Perc。
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