CCZ和RCZ拉制硅棒的杂质轴向氧含量对比
2021-03-04 14:55:15
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RCZ与CCZ拉晶头尾部电阻与少子对比
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CCZ和RCZ拉制硅棒的杂质轴向氧含量对比
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CCZ和RCZ拉制过程杂质积累对比
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CCZ和RCZ拉制硅棒的电阻率轴向均匀度对比
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电阻率、碳氧含量分布更均匀，切出的硅片参数更优异。与 RCZ相比，CCZ的轴向电阻率更稳定，轴向替位碳含量和间隙氧含量的分布都更均匀，因此最终产出的硅片性能更稳定。我们认为公司提前布局 CCZ，有望在硅片领域保持长期领先。
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