3 《直拉法单晶硅制备过程控氧技术研究进展》张梦宇等(2022) 4 《一种适用于连续直拉单晶技术的洗料方法》安徽华晟 CN 117265659 A 5 《HJT 电池技术发展状况》王文静(2023) 请务必阅读报告正文后各项声明 21 颗粒硅结合 CCZ,为提效降本进一步赋能。使用颗粒硅用 CCZ 方式拉晶得到的单晶硅电阻率恒定,n 型单晶头尾偏差小于 0.2 欧姆厘米;由于电池效率集中,可以实现边皮纵切,方棒得率提升到 80%;另外因为省去化料、调温的时间,理论单产提升 20%以上。综合以上,颗粒硅结合 CCZ 有望降低硅片成本 30%。我们认为随着 CCZ 技术继续成熟,公司颗粒硅产品结合 CCZ 拉晶,提效降本优势将进一步凸显。