DrMOS将MOSFET驱动器与功率FET直接集成在芯片上
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DrMOS 本质上是一种采用外部脉宽调制控制器且为降压配置的电压调节模块。与传统的降压式 DC-DC 转换器不同的是，DrMOS 将 MOSFET 驱动器与功率 FET 直接集成在芯片上。按照英特尔的规范，在现代应用中，这些芯片组的封装大多固定为 5mm×5mm，这使得电压调节模块能够被放置在距离负载更近的位置。这两个功率级部件的集成以及与负载的接近，减少了寄生元件和传导损耗，使得在优化的多相拓扑结构中，效率可提升至 95%以上。在工作原理上，外部脉冲宽度调制控制器产生特定占空比的脉冲信号，该信号被传输至 DrMOS 内部的 MOSFET 驱动器，MOSFET 驱动器依据此信号精准地控制功率 FET 的导通和关断时间。当功率 FET 导通时，电流从输入电源流向负载，使负载电压上升；当功率 FET 关断时，负载通过续流回路放电，负载电压下降。通过不断调整 PWM 信号的占空比，持续调节功率 FET 的工作状态，从而实现对负载电压的精确调控，确保为负载提供稳定且符合要求的供电。
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