2017-2021年650VSiCSBD相比650VSiFRD价差逐步
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2017-2021年650VSiCSBD相比650VSiFRD价差逐步缩
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2017-2021年650VSiCSBD相比650VSiFRD价差逐步
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1200VSiCSBD价格同样逐年降低（元/A）
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650VSiCSBD价格逐年降低（元/A）
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1200VSiCSBD价格同样逐年降低（元/A）
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650VSiCSBD价格逐年降低（元/A）
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2017-2020年1200VSiCSBD和SiFRD价格（元/A）
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SiC 降本有望实现全系 800V 平台下整车成本与 400V 平价，快充渗透有望加速向中低端车型拓展。SiC 应用对系统效率提升约 2%，对应整车续航提升约 5%，过去五年 SiC 二极管相比 Si 二极管价差不断减小，SiC MOS 售价也在不断下降，2021 年收到供应短缺影响微涨，SiC 器件价格大约是 IGBT 的 6-7 倍，伴随 SiC 国产化进程逐步推进，成本和售价大幅降低，SiC-MOS 有望与 Si-IGBT 成本打平，加速高电压大功率进一步向中低端车型渗透。
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