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分辨率是衡量光刻机性能的核心指标，光源波长、物镜数值孔径和工艺共同决定其可支持的最小工艺节点。在半导体制造中，分辨率代表设备能够清晰转移至硅片表面的最小图形尺寸，与集成电路的关键尺寸（Critical Dimension，CD）直接对应。根据瑞利判据，CD = k₁·λ/NA，其中 λ 为曝光光源波长，NA 为投影物镜的数值孔径，k₁ 则反映掩模设计与光刻胶性能等工艺条件。基于此公式，提升分辨率的路径主要包括缩短曝光波长、增大数值孔径以及优化工艺因子，三者共同构成光刻技术演进的根本逻辑。
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