磷化铟衬底光电性能好,电子迁移率高,可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。磷化铟是磷和铟的化合物,是 III-V 族半导体材料,使用磷化铟衬底制造的半导体器件,具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性,因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。磷化铟最早于 20 世纪 60 年代应用于航天太阳能电池中;1969 年,磷化铟首次被用于二极管中;20 世纪 80 年代,磷化铟首次被用于晶体管中;20 世纪 90 年代,磷化铟被用于电信用电吸收调制激光器中,因其具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点,在光电芯片衬底材料中拥有特殊的优势,磷化铟开始在光通信市场实现商业化应用,成为光模块半导体激光器和接收器的关键材料。此外,由于磷化铟具有高频低噪、击穿电压高等特点,随着高电压大功率器件的应用频率提升,磷化铟在 2010 年以来开始应用于雷达激光器件和射频器件。